Infineon N Kanal, MOSFET, 433 A 30 V, 8 Ben, TDSON, OptiMOS™

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

243,94 kr

(exkl. moms)

304,93 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 925 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4548,788 kr243,94 kr
50 - 12043,972 kr219,86 kr
125 - 24541,036 kr205,18 kr
250 - 49538,058 kr190,29 kr
500 +35,124 kr175,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
236-3643
Tillv. art.nr:
BSC005N03LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

433A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TDSON

Serie

OptiMOS™

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.5mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

59nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

188W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

6.35mm

Höjd

1.1mm

Längd

5.49mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM-serien MOSFET, 30 V maximal drain-källspänning, 433 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC005N03LS5ATMA1


Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande termiska miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och betydande kontinuerlig dräneringsströmkapacitet när den monteras i en TDSON-kapsel.

Funktioner och fördelar:


• 433 A kontinuerlig dräneringsström möjliggör omkoppling vid höga strömmar
• Låg Rds(on) på 5,5 mΩ minskar ledningsförluster under belastning
• 30 V drain-source-klassning möjliggör medelstora spänningsstegen
• 188 W effektförlust med stöd för hantering av hög effekt
• 59 nC grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivarenergiplanering
• Maximal gate-källspänning på ±20 V ger bred drivmarginal

Användningsområden


• Lämplig för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög strömstyrka
• Idealisk för serverströmsskenor och strömförsörjningsmoduler för telekommunikation
• Används med motorstyrningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilka förpackningsaspekter påverkar värmehanteringen?


Ytmonteringspaketet TDSON ger ett lågprofilsfotavtryck och kräver lämplig kopparyta på kretskortet eller termiska vägar för att dissipera sin 188 W-klassning effektivt inom termiska begränsningar på kortnivå.

Hur klarar enheten tuffa omgivningstemperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C till 175 °C, vilket möjliggör användning över ett brett temperaturområde utan nedgradering för många miljöer med höga temperaturer.

Vilka krav på grinddrivning bör iakttas?


Drivkretsar måste hålla grindspänningen inom ±20 V och ta hänsyn till den totala grindladdningen på 59 nC vid dimensionering av drivningens toppström och omkopplingstimering.

Hur ska konstruktörer planera för lednings- och omkopplingsförluster?


Använd 5,5 mΩ Rds(on) för att uppskatta I^2R-konduktionsförluster och inkludera energi för laddning av 59 nC-grinden när du beräknar totala termiska och verkningsgrader.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.