STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 235-5446
- Tillv. art.nr:
- STP150N10F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 50 enheter)*
1 310,40 kr
(exkl. moms)
1 638,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 26,208 kr | 1 310,40 kr |
| 100 - 200 | 25,536 kr | 1 276,80 kr |
| 250 + | 24,90 kr | 1 245,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-5446
- Tillv. art.nr:
- STP150N10F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.2mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.2mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
175°C junction temperature
Standard level VGS(TH)
Designed for automotive application
100% avalanche rated
Applications
Switching applications
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 900 V Förbättring TO-220, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 650 V Förbättring TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal 15 A 600 V Förbättring TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 950 V Förbättring TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 1 kV Förbättring TO-220