STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 235-5446
- Tillv. art.nr:
- STP150N10F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 391,05 kr
(exkl. moms)
1 738,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 27,821 kr | 1 391,05 kr |
| 250 - 450 | 27,124 kr | 1 356,20 kr |
| 500 + | 26,374 kr | 1 318,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-5446
- Tillv. art.nr:
- STP150N10F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.2mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.2mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad grindgate-struktur som resulterar i ett mycket lågt motstånd i on-state, samtidigt som den minskar den interna kapaciteten och grindladdningen för snabbare och effektivare omkoppling.
175 °C samlingstemperatur
Standardnivå VGS(TH)
Utformad för fordonstillämpningar
100 % avalanche-klassad
Användningsområden
Omkopplingstillämpningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DeepGate, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiC MOSFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220