STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 761-2855
- Tillv. art.nr:
- STF8NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
53,09 kr
(exkl. moms)
66,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 61 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 53,09 kr |
| 10 - 99 | 27,98 kr |
| 100 - 499 | 25,54 kr |
| 500 + | 21,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-2855
- Tillv. art.nr:
- STF8NK100Z
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.85Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 102nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.85Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 102nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFBG
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.85 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, IPAK, MDmesh, SuperMESH