Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

122,30 kr

(exkl. moms)

152,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4524,46 kr122,30 kr
50 - 12023,252 kr116,26 kr
125 - 24522,288 kr111,44 kr
250 - 49521,28 kr106,40 kr
500 +19,802 kr99,01 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-4871
Tillv. art.nr:
ISC080N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

75A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TDSON

Serie

ISC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8.05mΩ

Maximal effektförlust Pd

100W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

5.35mm

Bredd

1.2mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon ISC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 75 A maximal kontinuerlig drain-ström – ISC080N10NM6ATMA1


Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande dräneringsströmkapacitet och termisk tolerans i kretskortsmonterade effektsteg.

Funktioner och fördelar:


• 100 V avtappningsklassning möjliggör robust spänningshuvudomfång för effektsteg
• Kontinuerlig dräneringsström på 75 A stöder höga krav på omkoppling vid belastning
• 100 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering under belastning
• 8,05 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster för ökad effektivitet
• 24 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal gate-källspänning på 20 V ger gate-skyddsmarginal

Användningsområden


• Lämplig för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Idealisk för högströms synkrona likrikteringsuppgifter
• Används med motordrivna halvbryggor i kompakta växelriktare
• Kan användas för strömfördelningsomkopplare på kort
• Passar för primära eller sekundära nätaggregat med switchläge

Vilket arbetstemperaturområde kan den tolerera?


Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i termiskt krävande miljöer.

Vilken förpackning och monteringsstil bör jag planera för?


Den levereras i en TDSON-kapsel och är avsedd för ytmonterad montering på kretskort.

Vilka är de fysiska begränsningarna?


Förpackningen är 6,1 mm lång, 1,2 mm bred och 5,35 mm hög för layoutplanering.

Hur påverkar kravet på grinddrivning omkopplingsdesignen?


Den typiska totala grindladdningen på 24 nC definierar den laddningsöverföring som krävs från drivaren för att uppnå önskad växlingshastighet.

Vilken kanaltyp och polaritet använder den?


Den använder en N-kanalkonfiguration som är lämplig för low-side- eller high-side-arrangemang där N-kanalenheter krävs.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.