Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-artikelnummer:: 235-4868
Tillv. art.nr:: ISC060N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

38 600,00 kr

(exkl. moms)

48 250,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	7,72 kr	38 600,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 235-4868
Tillv. art.nr:: ISC060N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	97A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	ISC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	6mΩ
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	33nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	5.35mm
	Längd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.2mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 97A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TDSON
	Serie ISC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 5.35mm
	Längd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.2mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - ISC060N10NM6ATMA1

Infineon ISC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 97 A maximal kontinuerlig drain-ström – ISC060N10NM6ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för högströmsomkopplings- och effektomvandlingsuppgifter i krävande miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande dräneringsström och förhöjd spänningskapacitet samtidigt som den använder ett kompakt paket.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dräneringsspänning på 100 V möjliggör högspänningsomkoppling
• 97 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Maximal Rds(on) på 6 mΩ minimerar ledningsförluster
• Maximal effektförlust på 125 W möjliggör hållbar strömhantering
• 33 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivardimensionering
• Maximalt 20 V gate-source-klassning skyddar mot överdrivningshändelser

Användningsområden

• Lämplig för kraftomvandlare med hög strömstyrka i industriella system
• Idealisk för synkronlikriktelse i switchade strömförsörjningar
• Används med motordrivkretsar som kräver robust strömkapacitet
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C.

Hur påverkar förpackningen kretskortsmontering och termisk ledning?

Ytmonterat TDSON-paket med åtta stift underlättar automatiserad placering och termisk anslutning till kretskortskoppar för värmeavledning.

Vilka överväganden om gate-drivning innebär dess gate-laddning?

Med en typisk grindladdning på 33 nC bör konstruktörer dimensionera drivströmmen för att uppnå önskade omkopplingshastigheter samtidigt som de hanterar omkopplingsförluster.

Vilka elektriska gränsvärden måste iakttas för att förhindra skador på enheten?

Enheten får inte utsättas för gate-source-differenser över 20 V och drain-source-spänningar över 100 V.

Hur påverkar dess kanaltyp kopplingsbeteendet?

Som en N-kanal ger den låg påslagningsresistans för hög- eller lågströmsomkoppling där låg ledningsförlust krävs.