Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-artikelnummer:: 235-4870
Tillv. art.nr:: ISC080N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

39 650,00 kr

(exkl. moms)

49 550,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	7,93 kr	39 650,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 235-4870
Tillv. art.nr:: ISC080N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	75A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	ISC
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	8.05mΩ
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	24nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	100W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	6.1mm
	Bredd	1.2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	5.35mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie ISC
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 8.05mΩ
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 100W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 6.1mm
	Bredd 1.2mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 5.35mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - ISC080N10NM6ATMA1

Infineon ISC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 75 A maximal kontinuerlig drain-ström – ISC080N10NM6ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för strömomkoppling i kompakta ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande dräneringsströmkapacitet och termisk tolerans i kretskortsmonterade effektsteg.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningsklassning möjliggör robust spänningshuvudomfång för effektsteg
• Kontinuerlig dräneringsström på 75 A stöder höga krav på omkoppling vid belastning
• 100 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering under belastning
• 8,05 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster för ökad effektivitet
• 24 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal gate-källspänning på 20 V ger gate-skyddsmarginal

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Idealisk för högströms synkrona likrikteringsuppgifter
• Används med motordrivna halvbryggor i kompakta växelriktare
• Kan användas för strömfördelningsomkopplare på kort
• Passar för primära eller sekundära nätaggregat med switchläge

Vilket arbetstemperaturområde kan den tolerera?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i termiskt krävande miljöer.

Vilken förpackning och monteringsstil bör jag planera för?

Den levereras i en TDSON-kapsel och är avsedd för ytmonterad montering på kretskort.

Vilka är de fysiska begränsningarna?

Förpackningen är 6,1 mm lång, 1,2 mm bred och 5,35 mm hög för layoutplanering.

Hur påverkar kravet på grinddrivning omkopplingsdesignen?

Den typiska totala grindladdningen på 24 nC definierar den laddningsöverföring som krävs från drivaren för att uppnå önskad växlingshastighet.

Vilken kanaltyp och polaritet använder den?

Den använder en N-kanalkonfiguration som är lämplig för low-side- eller high-side-arrangemang där N-kanalenheter krävs.