Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- RS-artikelnummer:
- 235-4865
- Tillv. art.nr:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
96,77 kr
(exkl. moms)
120,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,385 kr | 96,77 kr |
| 20 - 48 | 42,67 kr | 85,34 kr |
| 50 - 98 | 39,65 kr | 79,30 kr |
| 100 - 198 | 36,735 kr | 73,47 kr |
| 200 + | 34,385 kr | 68,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-4865
- Tillv. art.nr:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 192A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.24mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 245W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 192A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie ISC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.24mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximal effektförlust Pd 245W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 1.1mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 6 industriell effekt-MOSFET 100 V är utformad för tillämpningar med hög switchfrekvens som telekom- och serverströmförsörjning, men också det idealiska valet för andra tillämpningar som solenergi, elverktyg och drönare. Jämfört med alternativa produkter möjliggör Infineons ledande tunna waferteknik betydande prestandafördelar.
Lägre och mjukare omvänd återställningsladdning
Idealisk för hög omkopplingsfrekvens
Hög avalancheenergiklassning
RoHS-kompatibel
Låga ledningsförluster
Låga omkopplingsförluster
Miljövänligt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 179 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 85 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 238 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, ISC