Infineon N Kanal, MOSFET, 192 A 100 V, 8 Ben, TDSON, ISC

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

96,77 kr

(exkl. moms)

120,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 5 000 enhet(er) levereras från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1848,385 kr96,77 kr
20 - 4842,67 kr85,34 kr
50 - 9839,65 kr79,30 kr
100 - 19836,735 kr73,47 kr
200 +34,385 kr68,77 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
235-4865
Tillv. art.nr:
ISC027N10NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

192A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

ISC

Kapseltyp

TDSON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.24mΩ

Maximal effektförlust Pd

245W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

91nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.1mm

Höjd

5.1mm

Bredd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon ISC-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 245 W maximal effektförlust – ISC027N10NM6ATMA1


Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för kraftomvandlings- och motordrivenhetsmiljöer, och erbjuder robust drift över ett brett temperaturområde och ett ytmonterat fotavtryck som är lämpligt för kompakta enheter. Den ger låg ledningsförlust och betydande strömhantering för krävande tillämpningar där spänningsblockering och grindstyrning är avgörande.

Funktioner och fördelar:


• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 192 A kontinuerlig dräneringsström med stöd för tung belastning
• 2,24 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster för effektivitet
• 245 W effektförlust möjliggör hållbar effekthantering
• 91 nC typisk grindladdning balanserar drivkraven och omkopplingshastigheten
• 20 V gate-source-klassning möjliggör brett gate-drivenheadroom

Användningsområden


• Lämplig som 100 V, 192 A effekt-MOSFET för motordrivkrets
• Idealisk för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka i kompakta system
• Används med batterihantering och traktionväxelriktare
• Kan användas för effektsteg som kräver låga Rds(on) MOSFET:er med 245 W effektförlust
• Lämplig för MOSFET-miljöer med hög temperatur från −55 °C till 175 °C

Vilken monteringsstil används för denna komponent?


Den levereras i en 8-stifts TDSON-förpackning för ytmontering som är utformad för montering på kortnivå.

Vilka termiska extremer kan denna enhet tolerera under drift?


Arbetsområdet sträcker sig från −55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning vid förhöjda temperaturer.

Vilken är den framåtriktade spänningskarakteristiken under ledning?


Framspänningen Vf är specificerad till 1 V under ledningsförhållanden.

Hur många stift har denna förpackning för kretskortslayout?


Enheten har en 8-stiftskonfiguration för termisk och elektrisk terminering.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.