ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 235-2683
- Tillv. art.nr:
- R6504KND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
95,42 kr
(exkl. moms)
119,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 75 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,084 kr | 95,42 kr |
| 50 - 95 | 17,338 kr | 86,69 kr |
| 100 - 245 | 13,44 kr | 67,20 kr |
| 250 - 995 | 13,148 kr | 65,74 kr |
| 1000 + | 8,736 kr | 43,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 235-2683
- Tillv. art.nr:
- R6504KND3TL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.05Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 58W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Längd | 6.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.05Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 58W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.4mm | ||
Längd 6.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM R6xxxKNx-serien är höghastighetsomkopplingsprodukter, Super Junction MOSFET, som lägger stor vikt vid hög effektivitet. Den uppnår högre effektivitet genom höghastighetsomkoppling. Höghastighetsomkoppling gör det möjligt att bidra till högre effektivitet i PFC- och LLC-kretsar.
Låg på-resistans
Ultrasnabb omkopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252