ROHM Typ N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

64,29 kr

(exkl. moms)

80,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 906,429 kr64,29 kr
100 - 2406,104 kr61,04 kr
250 - 4905,645 kr56,45 kr
500 - 9905,197 kr51,97 kr
1000 +5,018 kr50,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
265-280
Tillv. art.nr:
R6502END3TL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-252

Serie

R65

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.0Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

26W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The ROHM MOSFET is a low noise, Super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease of use. This series products achieve superior performance for noise sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Fast switching

Drive circuits can be simple

Parallel use is easy

Low on resistance

Relaterade länkar