Infineon Isolerad Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V, 2 Ben, AG-EASY2B, F4

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 352,18 kr

(exkl. moms)

1 690,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 11 352,18 kr
2 - 41 325,18 kr
5 +1 192,80 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
234-8968
Tillv. art.nr:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

F4

Kapseltyp

AG-EASY2B

Antal ben

2

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

5.65V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.062μC

Maximal effektförlust Pd

20mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Standarder/godkännanden

60749 and 60068, IEC 60747

Längd

62.8mm

Bredd

33.8 mm

Höjd

16.4mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.