Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 31 Ben, AG-EASY2B Genomgående hål 7

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

5 376,675 kr

(exkl. moms)

6 720,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 15358,445 kr5 376,68 kr
30 +349,485 kr5 242,28 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4799
Tillv. art.nr:
FP35R12W2T7B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

7

Kapseltyp

AG-EASY2B

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

31

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

56.7mm

Höjd

16.4mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

FP35R12W2T7-B11

Fordonsstandard

Nej

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat

TRENCHSTOP™ IGBT7

Overload operation up to 175°C

2.5 kV AC 1min insulation

Al2O3 substrate with low thermal resistance

High power density

Compact design

PressFIT contact technology

Relaterade länkar