Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 31 Ben, AG-EASY2B Genomgående hål 7
- RS-artikelnummer:
- 222-4799
- Tillv. art.nr:
- FP35R12W2T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 fack med 15 enheter)*
5 822,205 kr
(exkl. moms)
7 277,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 388,147 kr | 5 822,21 kr |
| 30 + | 378,441 kr | 5 676,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4799
- Tillv. art.nr:
- FP35R12W2T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 35A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Kapseltyp | AG-EASY2B | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 31 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 56.7mm | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Serie | FP35R12W2T7-B11 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 35A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Antal transistorer 7 | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Kapseltyp AG-EASY2B | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 31 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 56.7mm | ||
Höjd 16.4mm | ||
Serie FP35R12W2T7-B11 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon EasyPIMTM 2B 1200 V, 35 A trefasig ingångslikriktare PIM (Power Integrated Modules) IGBT-modul med TRENCHSTOPTM IGBT7, emitterstyrd 7-diod, NTC och PressFIT-kontaktteknik.
Låg VCEsat
TRENCHSTOPTM IGBT7
Överbelastningsdrift upp till 175 °C
2,5 kV AC 1min isolering
Al2O3-substrat med låg termisk resistans
Hög effekttäthet
Kompakt design
PressFIT-kontaktteknik
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, 31 Ben, AG-EASY2B Genomgående hål 7
- Infineon, IGBT 3-fas, 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 31 Ben, AG-EASY2B Genomgående hål 7
- Infineon, IGBT Helbrygga, 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 54 A 1200 V, AG-EASY2B-1 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 35 A 1200 V, EASY2B Klämma
- Infineon, IGBT, 35 A 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 54 A 1200 V 1 MHz, 35 Ben, EASY2B Klämma