Infineon, IGBT Helbrygga, 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- RS-artikelnummer:
- 258-0906
- Tillv. art.nr:
- FS75R12W2T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
499,86 kr
(exkl. moms)
624,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 499,86 kr |
| 2 - 4 | 474,88 kr |
| 5 - 9 | 454,83 kr |
| 10 - 19 | 434,78 kr |
| 20 + | 414,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0906
- Tillv. art.nr:
- FS75R12W2T7B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Kapseltyp | AG-EASY2B-711 | |
| Konfiguration | Helbrygga | |
| Fästetyp | Chassi | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.77V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Kapseltyp AG-EASY2B-711 | ||
Konfiguration Helbrygga | ||
Fästetyp Chassi | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.77V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon EasyPACK 2B 1200 V, 75 A six-pack IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
Relaterade länkar
- Infineon Nej 75 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon Nej 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon Nej FP35R12W2T7BPSA1 35 A 1200 V, AG-EASY2B-711 Chassi
- Infineon Nej 50 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon Nej 105 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon Nej FS75R12KT3BPSA1 105 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon Nej FS75R12KE3BPSA1 105 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
- Infineon Nej FS50R12KE3BPSA1 50 A 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chassi
