STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- RS-artikelnummer:
- 233-3092
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
44,46 kr
(exkl. moms)
55,575 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 38 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,892 kr | 44,46 kr |
| 50 - 245 | 5,532 kr | 27,66 kr |
| 250 - 495 | 4,212 kr | 21,06 kr |
| 500 + | 3,786 kr | 18,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-3092
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STN3N | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STN3N | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"STMicroelectronics Power MOSFET är den senaste utvecklingen av STMicroelectronics unika ""Single Feature SizeTM" remsbaserad process." Den resulterande transistorn visar extremt hög packningstäthet för låg påslagningsresistans, robusta avalanchegenskaper och mindre kritiska inriktningssteg och därför en anmärkningsvärd tillverkningsrepeterbarhet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Avalanche robust teknik
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH