STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN
- RS-artikelnummer:
- 151-425
- Tillv. art.nr:
- STN4NF20L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 20 enheter)*
118,84 kr
(exkl. moms)
148,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,942 kr | 118,84 kr |
| 200 - 980 | 3,702 kr | 74,04 kr |
| 1000 - 1980 | 2,823 kr | 56,46 kr |
| 2000 + | 2,526 kr | 50,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-425
- Tillv. art.nr:
- STN4NF20L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STN | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STN | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET-serien har utvecklats med hjälp av STripFET-processen, som är speciellt utformad för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Detta gör enheten lämplig för användning som primär omkopplare i avancerade isolerade DC-till-DC-omvandlare med hög effektivitet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N