STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- RS-artikelnummer:
- 233-3091
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 4000 enheter)*
8 660,00 kr
(exkl. moms)
10 824,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 36 000 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 2,165 kr | 8 660,00 kr |
| 8000 - 20000 | 2,138 kr | 8 552,00 kr |
| 24000 + | 2,112 kr | 8 448,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-3091
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Längd | 6.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.6mm | ||
Längd 6.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"STMicroelectronics Power MOSFET är den senaste utvecklingen av STMicroelectronics unika ""Single Feature SizeTM" remsbaserad process." Den resulterande transistorn visar extremt hög packningstäthet för låg påslagningsresistans, robusta avalanchegenskaper och mindre kritiska inriktningssteg och därför en anmärkningsvärd tillverkningsrepeterbarhet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Avalanche robust teknik
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 250 mA 800 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH