STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 485-7399
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
83,10 kr
(exkl. moms)
103,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 02 november 2026
- Dessutom levereras 9 110 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,62 kr | 83,10 kr |
| 50 - 245 | 9,756 kr | 48,78 kr |
| 250 - 495 | 6,88 kr | 34,40 kr |
| 500 + | 5,368 kr | 26,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 485-7399
- Tillv. art.nr:
- STN3NF06L
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.3W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.5mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.3W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +16V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.5mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN3N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 1.8 A 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH3
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 1 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STN
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 300 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SuperMESH