onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 220-586
- Tillv. art.nr:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
109,42 kr
(exkl. moms)
136,775 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 500 enhet(er) från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,884 kr | 109,42 kr |
| 50 - 95 | 20,832 kr | 104,16 kr |
| 100 - 495 | 19,242 kr | 96,21 kr |
| 500 - 995 | 17,718 kr | 88,59 kr |
| 1000 + | 17,046 kr | 85,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-586
- Tillv. art.nr:
- NTMFS005P03P8ZT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 164A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SO-8FL | |
| Serie | NTMFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 183nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 164A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SO-8FL | ||
Serie NTMFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 183nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
ON Semiconductor MOSFET med avancerad förpackningsteknik i 5 x 6 mm för utrymmesbesparing och utmärkt värmeledning.
RoHS-märkt
Blyfri och halogenfri/BFR-fri
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 78 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 276 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 273 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 201 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 323 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C10N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS5C646NL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 69 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS4C06N