onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 120 V P, 8 Ben, SO-8, NTMF
- RS-artikelnummer:
- 229-6467
- Tillv. art.nr:
- NTMFS008N12MCT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
140,22 kr
(exkl. moms)
175,275 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,044 kr | 140,22 kr |
| 50 - 95 | 24,17 kr | 120,85 kr |
| 100 - 495 | 20,966 kr | 104,83 kr |
| 500 - 995 | 18,412 kr | 92,06 kr |
| 1000 + | 16,756 kr | 83,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-6467
- Tillv. art.nr:
- NTMFS008N12MCT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | NTMF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 102W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 6.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie NTMF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 102W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 6.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor N-kanals effekt-MOSFET platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Den används för omkopplingsnätaggregat, strömbrytare, batterihantering och skydd.
Minimera ledningsförluster
Minimera drivförluster
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 120 V P, 8 Ben, SO-8, NTMF
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 263 A 30 V P, 8 Ben, SO-8, NTK
- onsemi 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 79 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 164 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8FL, NTMFS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.44 A 60 V P, 8 Ben, SO-8
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET -20 V, 8 Ben, SO-8, IRF7425
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5 A, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si4435DYPbF