Infineon N Kanal, MOSFET, 300 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög strömstyrka som är utformad för krävande roller inom fordons- och industriell strömomkoppling. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och levereras i ett ytmonterat HSOF-paket som är lämpligt för kretskortslayouter med hög ström. Enheten är specificerad för att motstå typiska fordonsgatexkursioner och levererar den spänning och strömkapacitet som behövs för robusta strömomvandlings- och motordrivartillämpningar.

• Låg påslagningsresistans på 1.2 mΩ minskar ledningsförluster och värme
• 80 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 300 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Maximal förlust på 375 W möjliggör hållbar effekthantering
• ±20 V gate-tolerans för gate-drivningssignaler i fordon
• AEC-Q101-kvalifikationen uppfyller kraven för stresskärmning inom fordonsindustrin

• Lämplig för traktorväxelriktare i elektrifierade fordon
• Idealisk för DC-DC-omvandlarutgångar med hög ström
• Används med motordrivna växelriktare och dragstyrningar
• Kan användas för strömfördelning i fordonssystem
• Lämplig för industriella strömmoduler som kräver ytmontering

Den är klassad för drift från -55 °C upp till +175 °C.

Enheten levereras i en HSOF-förpackning och är avsedd för ytmontering.

Den accepterar gate-source-spänningar upp till ±20 V, vilket möjliggör typiska fordonsdrivmarginaler.

Det är en N-kanal-enhet med förstärkningsläge som är utformad för omkopplingstillämpningar.