Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1811
- Tillv. art.nr:
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
121,74 kr
(exkl. moms)
152,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 270 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 60,87 kr | 121,74 kr |
| 20 - 48 | 54,77 kr | 109,54 kr |
| 50 - 98 | 51,13 kr | 102,26 kr |
| 100 - 198 | 47,49 kr | 94,98 kr |
| 200 + | 44,41 kr | 88,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1811
- Tillv. art.nr:
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | HSOF | |
| Serie | IAUT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp HSOF | ||
Serie IAUT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons n-kanal MOSFET har 175 °C drifttemperatur och 100 procent avalanche-testad.
Den är RoHS-kompatibel och AEC Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 165 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IAUT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, IPL AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, IAUT AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101