Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2820
- Tillv. art.nr:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 228-2820
- Tillv. art.nr:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.4W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 7.4W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay TrenchFET N-Channel Power MOSFET används för DC/DC primärsidoswitch, telekom/server, motorstyrning och synkron likriktare.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 335 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET