Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, E

RS-artikelnummer:: 225-9918
Tillv. art.nr:: SIHP5N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, E

Antal (1 rör med 50 enheter)*

436,00 kr

(exkl. moms)

545,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 1 050 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	8,72 kr	436,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 225-9918
Tillv. art.nr:: SIHP5N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	TO-220AB
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.35Ω
	Maximal effektförlust Pd	62.5W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	16.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	4.65mm
	Höjd	15.85mm
	Längd	10.52mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp TO-220AB
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.35Ω
	Maximal effektförlust Pd 62.5W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.5nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 4.65mm
	Höjd 15.85mm
	Längd 10.52mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source-spänning, 62,5 W maximal effektförlust – SIHP5N80AE-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsuppgifter i industriella miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde och levereras i en TO-220AB-kapsel för konventionell montering. Enheten stöder höga krav på drain-source-spänning samtidigt som den ger måttlig kontinuerlig strömkapacitet och är avsedd för ytmonteringstillämpningar i utrustning som kräver RoHS-kompatibla komponenter.

Funktioner och fördelar:

• Dräneringskapacitet på 800 V möjliggör högspänningsomkoppling
• 4,4 A kontinuerlig ström som passar för måttliga effektbelastningar
• 1,35 Ω Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Maximal dissipation på 62,5 W ger hög effekthantering
• 16.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar
• ±30 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för industriell switchad strömförsörjning
• Används med motordrivenheter som kräver robust spänningsmarginal
• Kan användas för snubber- och klämkretsar i HV-system
• Lämplig för laboratorietestsystem som hanterar höga spänningar

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla start- och högtemperaturindustrimiljöer.

Vilket paket och vilken monteringsmetod använder den för kretskortsimplementering?

Den levereras i en TO-220AB-förpackning och är avsedd för ytmonterad installation, vilket underlättar genomgående hålsmältning på monteringar.

Hur många anslutningsstift medföljer och vilken polaritetstyp finns det?

Enheten har tre stift och använder en N-kanaltyp, med typiska MOSFET-stiftfunktioner för grind, drain och source.

Finns det begränsningar för gate-drivspänningen för att undvika skador?

Gate-source-spänningen får inte överstiga 30 V för att förhindra överbelastning av grinden under körning.