Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- RS-artikelnummer:
- 200-6820
- Tillv. art.nr:
- SIHP690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 50 enheter)*
622,05 kr
(exkl. moms)
777,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,441 kr | 622,05 kr |
| 100 - 200 | 11,693 kr | 584,65 kr |
| 250 + | 10,575 kr | 528,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6820
- Tillv. art.nr:
- SIHP690N60E-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie E | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 6,4 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHP690N60E-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsuppgifter i industriella elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220AB-kapsel med genomgående hål som är lämplig för konventionella kylelement och manuell montering.
Funktioner och fördelar:
• 650 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 6.4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 700 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 62.5 W effektförlust möjliggör betydande termisk hantering
• 12 nC grindladdning minskar drivenergin för snabbare omkoppling
• 30 V gate-source-tolerans möjliggör flexibla gate-drivenivåer
• 6.4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 700 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 62.5 W effektförlust möjliggör betydande termisk hantering
• 12 nC grindladdning minskar drivenergin för snabbare omkoppling
• 30 V gate-source-tolerans möjliggör flexibla gate-drivenivåer
Användningsområden
• Passar för offline-strömförsörjning och högspänningsomvandlare
• Idealisk för grindsteg och växelriktare
• Används med diskreta switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Kan användas för labbprototyper som kräver montering med genomgående hål
• Lämplig för drivsteg i högspänningsbelysningskontroll
• Idealisk för grindsteg och växelriktare
• Används med diskreta switchade nätaggregat i industriell utrustning
• Kan användas för labbprototyper som kräver montering med genomgående hål
• Lämplig för drivsteg i högspänningsbelysningskontroll
Vilket temperaturområde kan den tolerera i krävande installationer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C och passar tuffa industriella miljöer.
Vilka monterings- och kylalternativ är kompatibla med den?
Formatet TO-220AB med genomgående hål möjliggör direkt kretskortsmontering och anslutning till konventionella kylelement för förbättrad värmehantering.
Hur påverkar dess grindladdning valet av drivare?
Med en typisk grindladdning på 12 nC kräver den måttlig gate-drivkapacitet, vilket möjliggör användning med kompakta drivare samtidigt som rimliga omkopplingshastigheter upprätthålls.
Är den lämplig för tillämpningar av fordonskvalitet?
Den är inte specificerad för att uppfylla fordonsstandarder, så den är mer lämplig för allmänna industriella och kommersiella elektroniska konstruktioner.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 32 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E