Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E

RS-artikelnummer:: 228-2874
Tillv. art.nr:: SiHP080N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 962,25 kr

(exkl. moms)

2 452,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 650 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	39,245 kr	1 962,25 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 228-2874
Tillv. art.nr:: SiHP080N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	35A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	TO-220AB
	Serie	E
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	80mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	42nC
	Maximal effektförlust Pd	227W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp TO-220AB
	Serie E
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC
	Maximal effektförlust Pd 227W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spänning, 35 A kontinuerlig drain-ström – SiHP080N60E-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal avsedd för tillämpningar med genomgående hål där robusta termiska och elektriska prestanda krävs. Den fungerar i ett brett omgivningsområde, stöder omkopplingsuppgifter med måttlig grindladdning och monteras i en TO-220AB-kapsel för enkel kylflänsning och montering på konventionella kort.

Funktioner och fördelar:

• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 35 A kontinuerlig strömkapacitet stöder betydande belastningsströmmar
• 80 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under strömöverföring
• Maximal förlust på 227 W möjliggör hållbar effekthantering
• 42 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• ±30 V grindtolerans möjliggör breda driftspänningsmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för nätbaserade SMPS- och PFC-kretsar
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används med högspännings-DC/DC-omvandlare inom telekom
• Kan användas för omkopplingsbelysning och förkopplingssystem
• Används i batteriladdnings- och energilagringsomvandlare

Vilket temperaturområde kan enheten tolerera i tuffa miljöer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör drift under extrema industriella temperaturer.

Hur är enheten avsedd att monteras och kylas?

TO-220AB-formatet med genomgående hål rymmer direkt anslutning av kylelement för effektiv värmehantering och kortmonterade strömkonstruktioner.

Vilka gränsvärden för grinddrivning bör iakttas under designen?

Gate-source-spänningen får inte överstiga ±30 V för att undvika gate-oxidbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Passar komponenten för lågspänningssignalväxlingsuppgifter?

Dess 1,2 V framspänning och effektfokuserade konstruktion gör den optimerad för högspänningsströmomvandling snarare än lågspänningssignalomkoppling.