Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 227,45 kr

(exkl. moms)

1 534,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 650 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5024,549 kr1 227,45 kr
100 - 20023,076 kr1 153,80 kr
250 +21,135 kr1 056,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2874
Tillv. art.nr:
SiHP080N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

E

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

227W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Relaterade länkar