STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD5N
- RS-artikelnummer:
- 193-5390
- Tillv. art.nr:
- STD5N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
207,875 kr
(exkl. moms)
259,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 8,315 kr | 207,88 kr |
| 125 - 225 | 7,903 kr | 197,58 kr |
| 250 - 600 | 7,114 kr | 177,85 kr |
| 625 + | 7,07 kr | 176,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 193-5390
- Tillv. art.nr:
- STD5N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STD5N | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.55Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.2mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STD5N | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.55Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.2mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 3.5 A 600 V Förbättring TO-252, STD5N
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 12 A 600 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 600 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8 A 600 V Förbättring TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 600 V Förbättring TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 600 V Förbättring TO-252, SuperMESH