ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- RS-artikelnummer:
- 223-6391
- Tillv. art.nr:
- SH8JB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 230,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
154,56 kr
(exkl. moms)
193,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 055 enhet(er) från den 06 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,912 kr | 154,56 kr | - |
| 50 - 95 | 26,298 kr | 131,49 kr | 230,70 kr |
| 100 - 245 | 20,428 kr | 102,14 kr | 1 048,40 kr |
| 250 + | 20,004 kr | 100,02 kr | 2 727,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 223-6391
- Tillv. art.nr:
- SH8JB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.153Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.153Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The ROHM power MOSFET has SOP8 package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MB
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM N Kanal, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA2
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA4
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101