ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MB
- RS-artikelnummer:
- 234-2986
- Tillv. art.nr:
- SH8MB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
118,94 kr
(exkl. moms)
148,675 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 115 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,788 kr | 118,94 kr |
| 50 - 95 | 21,348 kr | 106,74 kr |
| 100 - 245 | 16,688 kr | 83,44 kr |
| 250 - 995 | 16,352 kr | 81,76 kr |
| 1000 + | 13,956 kr | 69,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-2986
- Tillv. art.nr:
- SH8MB5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SH8MB | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SH8MB | ||
Kapseltyp SOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.75mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RHOM SH8MB5-serien är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplingstillämpningar. Det lilla ytmonteringspaketet (SOP8) bidrar till att spara utrymme.
Låg påslagningsresistans
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering;
RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MB
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA2
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA4
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101