ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA4
- RS-artikelnummer:
- 177-6205
- Tillv. art.nr:
- SH8MA4TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 177-6205
- Tillv. art.nr:
- SH8MA4TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 9 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 30 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Serie | SH8MA4 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | -1.2 V | |
| Höjd | 1.6 mm | |
| Längd | 5.2 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 21.4 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 3 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 15.5 nC | |
| Bredd | 4.05 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Antal element per chip 2 | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 9 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 30 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp SOP | ||
Serie SH8MA4 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) -1.2 V | ||
Höjd 1.6 mm | ||
Längd 5.2 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 21.4 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 3 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 15.5 nC | ||
Bredd 4.05 mm | ||
RoHS-status: Undantagen
- COO (ursprungsland):
- TH
SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
Low on - resistance.
Small Surface Mount Package (SOP8).
Pb-free lead plating
Halogen Free.
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MA2
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SH8MB
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
