ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M3 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
222-4379
Tillv. art.nr:
SP8M3HZGTB
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SP8M3

Kapseltyp

SOP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

56mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6mm

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM SP8M3HZG n MOSFET av fordonskvalitet som är EC-Q101-kvalificerad. 30 V-MOSFET:er med ESD-skyddsdiod ingår i SOP8-kapseln. Idealisk för omkopplingstillämpningar.

Låg på-resistans

Litet ytmonterat paket (SOP8)

Blyfri plätering; RoHS-kompatibel

Halogenfri

Sn100 % plätering

AEC-Q101-kvalificerad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.