Infineon N Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4755
- Tillv. art.nr:
- IRL40SC228
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
334,21 kr
(exkl. moms)
417,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 335 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 66,842 kr | 334,21 kr |
| 25 - 45 | 56,18 kr | 280,90 kr |
| 50 - 120 | 52,124 kr | 260,62 kr |
| 125 - 245 | 48,81 kr | 244,05 kr |
| 250 + | 45,45 kr | 227,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4755
- Tillv. art.nr:
- IRL40SC228
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 557A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 416W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 307nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.54mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 557A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 416W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 307nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.54mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 557 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IRL40SC228
Denna högeffekts MOSFET är utformad för olika tillämpningar som kräver robust prestanda och effektivitet. Den har ett kompakt D2PAK-7-paket för ytmontering, vilket säkerställer bekväm installation i utrymmesbegränsade miljöer. Med en kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 557 A och en maximal dräneringskällspänning på 40 V mäter dess mått 10,54 mm i längd, 9,65 mm i bredd och 4,83 mm i höjd.
Funktioner & fördelar
• Optimerad för logiknivådrivning för förbättrad kompatibilitet
• Låg RDS(on) på 0,50 mΩ för minskad effektförlust
• Hög strömkapacitet på upp till 557 A för krävande tillämpningar
• Mångsidiga tillämpningar inom motorstyrningar och nätaggregat
Användningsområden
• Lämplig för borstad och BLDC-motordrivkretsar
• Idealisk för batteridrivna elektroniska system
• Används i halv- och helbryggskretstopologier
• Effektiv som synkron likriktare i strömförsörjning
• Används i DC-DC- och AC-DC-omvandlare
Vilka är de viktigaste fördelarna med att använda denna enhet i tillämpningar med hög ström?
Enhetens låga påslagningsresistans förbättrar effektiviteten avsevärt, vilket möjliggör högre strömflöde utan betydande värmegenerering. Detta stöder tillförlitlighet och prestanda i krävande situationer där strömkapacitet är kritisk.
Hur fungerar denna MOSFET under höga temperaturförhållanden?
Den fungerar effektivt över ett brett temperaturområde från -55 °C till +175 °C, vilket säkerställer stabilitet och funktionalitet även under extrema driftsförhållanden.
Vilka funktioner förbättrar robustheten hos denna MOSFET under drift?
Förbättrad grind- och avalanche-tålighet skyddar den från spänningsspikar, medan dess låga dynamiska dV/dt-funktioner bidrar till konsekvent prestanda under snabbt föränderliga förhållanden.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 183 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 269 A 75 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET