Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4747
- Tillv. art.nr:
- IRFH8311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
134,505 kr
(exkl. moms)
168,135 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 425 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 8,967 kr | 134,51 kr |
| 75 - 135 | 8,527 kr | 127,91 kr |
| 150 - 360 | 8,34 kr | 125,10 kr |
| 375 - 735 | 7,803 kr | 117,05 kr |
| 750 + | 7,265 kr | 108,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4747
- Tillv. art.nr:
- IRFH8311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.17mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.17mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
<
<
100 % Rg-testad
<
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET