Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 222-4746
- Tillv. art.nr:
- IRFH8311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
16 772,00 kr
(exkl. moms)
20 964,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 4,193 kr | 16 772,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4746
- Tillv. art.nr:
- IRFH8311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 6.15mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.17mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 6.15mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.17mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
<
<
100 % Rg-testad
<
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 80 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET