Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

16 400,00 kr

(exkl. moms)

20 480,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +4,10 kr16 400,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4746
Tillv. art.nr:
IRFH8311TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

2.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

96W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.17mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDSon (<1.15 mΩ)

Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)

100% Rg tested

Low Profile (<0.9 mm)

Relaterade länkar