Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 130-0975
- Tillv. art.nr:
- IRFH5015TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,19 kr
(exkl. moms)
135,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 360 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 21,638 kr | 108,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0975
- Tillv. art.nr:
- IRFH5015TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 31mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 0.85mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 31mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 0.85mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 150V till 600V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 150 V, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 7 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 7.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET