Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 220-7456
- Tillv. art.nr:
- IPW60R099P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
999,93 kr
(exkl. moms)
1 249,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 210 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 33,331 kr | 999,93 kr |
| 60 - 120 | 31,666 kr | 949,98 kr |
| 150 + | 30,33 kr | 909,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7456
- Tillv. art.nr:
- IPW60R099P6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 109A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.13mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 109A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.13mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Cool MOS P6 super junction MOSFET-familj är utformad för att möjliggöra högre systemeffektivitet samtidigt som den är lätt att designa i. Cool MOS P6 täcker klyftan mellan tekniker som fokuserar på att leverera ultimata prestanda och de som fokuserar mer på användarvänlighet.
Minskad grindladdning (Q g)
Högre V
God robusthet för kroppsdiod
Optimerad integrerad R g
Förbättrad dv/dt från 50 V/ns
Cool MOSTM-kvalitet med över 12 års tillverkningserfarenhet inom superförbindningsteknik
Förbättrad effektivitet, särskilt vid lätt belastning
Bättre effektivitet i mjuka omkopplingstillämpningar på grund av tidigare avstängning
Lämpligt för hårda och mjuka switchingtopologier
Optimerad balans mellan effektivitet och användarvänlighet och god styrning av omkopplingsbeteende
Hög robusthet och bättre effektivitet
Utomordentlig kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 109 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 30 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 87 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P6
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 97 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 99.6 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P6