Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 217-2586
- Tillv. art.nr:
- IPW60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 60 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 161,45 kr
(exkl. moms)
1 451,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | 38,715 kr | 1 161,45 kr | - |
| 60 - 120 | 36,781 kr | 1 103,43 kr | 4% |
| 150 + | 35,231 kr | 1 056,93 kr | 8% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2586
- Tillv. art.nr:
- IPW60R120P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 95W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Höjd | 41.42mm | |
| Längd | 6.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 95W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.21mm | ||
Höjd 41.42mm | ||
Längd 6.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen. Klassens bästa R onxA och den inneboende låga grindladdningen (Q G) på CoolMOSTM 7:e generationens plattform säkerställer dess höga effektivitet.
ESD-hårdhet på ≥ 2 kV (HBM klass 2)
Integrerat grindmotstånd R G
Robust husdiod
Brett sortiment i hålmonterings- och ytmonteringsförpackningar
Både standard- och industridelar finns tillgängliga
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 206 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 386 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS P7