Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-artikelnummer:
- 217-2591
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
111,66 kr
(exkl. moms)
139,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 178 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 111,66 kr |
| 5 - 9 | 106,06 kr |
| 10 - 24 | 103,94 kr |
| 25 - 49 | 97,22 kr |
| 50 + | 90,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2591
- Tillv. art.nr:
- IPZ60R040C7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 227W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 41.42mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 227W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 41.42mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs. Efficiency and TCO (total cost of ownership) applications such as hyperdata centres and high efficiency telecom rectifiers (>96%) benefit from the higher efficiency offered by CoolMOS™ C7. Gains of 0.3% to 0.7% in PFC and 0.1% in LLC topologies can be achieved. In the case of a 2.5kW server PSU, for example, using 600V CoolMOS™ C7 SJ MOSFETs in a TO-247 4pin package can result in energy cost reductions of ∼10% for PSU energy loss.
Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss
Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)
Increased switching frequency
Best R (on)*A in the world
Rugged body diode
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 50 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 37 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 35 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 40 A 600 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 18 A 650 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 75 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 13 A 700 V Förbättring TO-247, CoolMOS C7