Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 219-5996
Tillv. art.nr:: IPN80R4K5P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

5 742,00 kr

(exkl. moms)

7 176,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 06 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,914 kr	5 742,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 219-5996
Tillv. art.nr:: IPN80R4K5P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	800V
	Kapseltyp	SOT-223
	Serie	CoolMOS P7
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	450mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	6W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.7mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.7mm
	Höjd	1.8mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 800V
	Kapseltyp SOT-223
	Serie CoolMOS P7
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 6W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.7mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.7mm
	Höjd 1.8mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 800 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN80R4K5P7ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonterad strömomvandling och styrningsuppgifter. Den fungerar tillförlitligt över ett brett omgivningsområde och är avsedd för användning där robust spänningsblockering och måttlig kontinuerlig strömkapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:

• 800 V drain-source-klassning möjliggör högspänningstillämpningar
• 450 mΩ RDS(on) begränsar ledningsförluster vid omkoppling
• 4 nC typisk grindladdning minskar drivenergikrav
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A med stöd för stabila laster
• Maximal effektförlust på 6 W hanterar termisk påfrestning under drift
• ±20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-driven spänning

Användningsområden

• Lämplig för offline-nätaggregat som hanterar höga spänningar
• Idealisk för boostomvandlare i industriella system
• Används för switchade effektsteg med måttliga strömmar
• Kan användas för halvledartestare som kräver 800 V
• Används med ytmonteringsenheter på Compact Power-kort

I vilka omgivningstemperaturer kan den användas?

Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till 150 °C, vilket ger lämplighet för svåra termiska miljöer.

Hur påverkar förpackningen den termiska prestandan?

SOT‐223-paketet för ytmontering erbjuder ett litet fotavtryck samtidigt som det möjliggör värmeavledning som är kompatibel med en maximal effektförlust på 6 W när det är korrekt monterat.

Vilka grinddrivare krävs?

Enheten accepterar upp till ±20 V mellan grind och källa och behöver vanligtvis drivenergi motsvarande en total grindladdning på 4 nC för snabb omkoppling.

Vilken omkopplingstopologi drar mest nytta av dess egenskaper?

Högspänningsförstärkning av N-kanal gör den lämplig för topologier som kräver 800 V blockering med måttlig kontinuerlig strömhantering.