Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS

Antal (1 rör med 50 enheter)*

994,55 kr

(exkl. moms)

1 243,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +19,891 kr994,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4701
Tillv. art.nr:
IPP60R120C7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

120mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal effektförlust Pd

92W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.57mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.36mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Blyfri plätering; RoHS-kompatibel

Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad

Halogenfri enligt IEC61249-2-23

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.