Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP
- RS-artikelnummer:
- 897-7400
- Tillv. art.nr:
- IPA60R199CPXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
163,972 kr
(exkl. moms)
204,964 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 260 enhet(er) från den 05 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 40,993 kr | 163,97 kr |
| 20 - 36 | 38,948 kr | 155,79 kr |
| 40 - 96 | 37,295 kr | 149,18 kr |
| 100 - 196 | 34,833 kr | 139,33 kr |
| 200 + | 32,788 kr | 131,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 897-7400
- Tillv. art.nr:
- IPA60R199CPXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 199mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 34W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 199mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 34W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP60R099CPXKSA1