Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4704
- Tillv. art.nr:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 7%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 620,10 kr
(exkl. moms)
2 025,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 350 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 32,402 kr | 1 620,10 kr | - |
| 100 - 200 | 29,81 kr | 1 490,50 kr | 7% |
| 250 + | 28,188 kr | 1 409,40 kr | 13% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4704
- Tillv. art.nr:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 145mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 145mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.3 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3