Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 591,00 kr

(exkl. moms)

11 988,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,197 kr9 591,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4688
Tillv. art.nr:
IPN80R2K4P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

CoolMOS

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.5nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.8mm

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons design av Cool MOSTM P7-serien sätter en ny riktmärke inom 800 V-superkopplingstekniker och kombinerar klassens bästa prestanda med toppmodern användarvänlighet, vilket är ett resultat av Infineons mer än 18 års banbrytande innovation inom superkopplingsteknik.

Produktvalidering enligt JEDEC-standard

Låga omkopplingsförluster (Eoss) Integrerad ESD-skyddsdiod

Utmärkt termiskt beteende

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.