Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 215-2533
- Tillv. art.nr:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 215-2533
- Tillv. art.nr:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 950 V Cool MOSTM P7-serie är utformad för att möta de växande konsumenternas behov inom högspännings-MOSFET-arena. Den senaste 950 V Cool MOSTM P7-tekniken fokuserar på SMPS-marknaden med låg effekt. 950 V Cool MOSTM P7-serien erbjuder 50 V mer blockeringsspänning än sin föregångare 900 V Cool MOSTM C3 och ger enastående prestanda när det gäller effektivitet, termiskt beteende och användarvänlighet. Precis som alla andra medlemmar i P7-familjen levereras 950 V Cool MOSTM P7-serien med ett integrerat ESD-skydd med Zenerdiod. Den integrerade dioden förbättrar ESD-robustheten avsevärt, vilket minskar ESD-relaterade avkastningsförluster och når exceptionella användarvänlighetsnivåer. Cool MOSTM P7 är utvecklad med klassens bästa VGS(the) på 3 V och en smal tolerans på endast ± 0,5 V, vilket gör den enkel att driva och designa.
Klassens bästa FOMRDS(on)*Eoss; minskad Qg, Ciss och Coss
Klassens bästa SOT-223 RDS(on)
Klassens bästa Cool MOSTM-kvalitet och tillförlitlighet
Helt optimerad portfölj
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7