Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-6003
- Tillv. art.nr:
- IPN80R900P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
117,04 kr
(exkl. moms)
146,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 370 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 11,704 kr | 117,04 kr |
| 50 - 90 | 11,133 kr | 111,33 kr |
| 100 - 240 | 10,662 kr | 106,62 kr |
| 250 - 490 | 10,158 kr | 101,58 kr |
| 500 + | 9,475 kr | 94,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6003
- Tillv. art.nr:
- IPN80R900P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 7W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 7W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V CoolMOS P7 superjunction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flyback-tillämpningar inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också designer med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK R DS(on)-produkter. Sammantaget hjälper det kunder att spara BOM-kostnader och minska monteringsansträngningen.
Enkel att driva och designa i
Bättre produktionsutbyte genom att minska ESD-relaterade fel
Färre produktionsproblem och minskad fältretur
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av konstruktioner
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7