Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-6003
- Tillv. art.nr:
- IPN80R900P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
100,13 kr
(exkl. moms)
125,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 380 enhet(er) från den 01 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 10,013 kr | 100,13 kr |
| 50 - 90 | 9,52 kr | 95,20 kr |
| 100 - 240 | 9,117 kr | 91,17 kr |
| 250 - 490 | 8,691 kr | 86,91 kr |
| 500 + | 8,109 kr | 81,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-6003
- Tillv. art.nr:
- IPN80R900P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 900mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 7W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 7W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Easy to drive and to design-in
Better production yield by reducing ESD related failures
Less production issues and reduced field returns
Easy to select right parts for fine tuning of designs
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 6 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 1.5 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 8 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 7 A 800 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 4 A 800 V Förbättring SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 950 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 16 A 650 V Förbättring SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal 6 A 700 V Förbättring SOT-223, 700V CoolMOS P7