Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 220-7392
- Tillv. art.nr:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
17 606,00 kr
(exkl. moms)
22 008,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 17,606 kr | 17 606,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7392
- Tillv. art.nr:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 57.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 57.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 650 V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET är Infineons andra generation av marknadsledande fordonskvalificerade högspännings Cool MOS-effekt-MOSFET. Förutom de välkända egenskaperna för hög kvalitet och tillförlitlighet som fordonsindustrin kräver, tillhandahåller 650 V Cool MOS CFDA-serien också en integrerad snabb kroppsdiod.
Första 650 V fordonskvalificerade teknik med integrerad snabb kroppsdiod på marknaden
Begränsad spänningsöverskridning under hård kommutation – självbegränsande di/dt och dv/dt
Lågt grindladdningsvärde Q g
Låg Q rr vid repetitiv kommutering på kroppsdiod och låg Q oss
Minskade tillslagnings- och vridfördröjningstider
Ökad säkerhetsmarginal tack vare högre brytspänning
Minskat EMI-utseende och lätt att designa i
Bättre effektivitet vid lätt belastning
Lägre omkopplingsförluster
Högre omkopplingsfrekvens och/eller högre arbetscykel möjlig
Hög kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 57.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 650 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 78 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 151 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, 600V CoolMOS P7