Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4611
- Tillv. art.nr:
- AUIRFP4568
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
3 410,40 kr
(exkl. moms)
4 263,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 075 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 136,416 kr | 3 410,40 kr |
| 50 - 100 | 129,593 kr | 3 239,83 kr |
| 125 + | 124,136 kr | 3 103,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4611
- Tillv. art.nr:
- AUIRFP4568
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 171A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 151nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 517W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 20.7mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Höjd | 5.31mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 171A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 151nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 517W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 20.7mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Höjd 5.31mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons design av HEXFET® Power MOSFET-transistorer använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå låg påslagningsresistans per kiselområde. Denna fördel kombinerad med den snabba omkopplingshastigheten och robusta enhetsdesign som HEXFET-effekt-MOSFET-transistorer är välkända för, ger designern en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning inom fordonsindustrin och en mängd andra tillämpningar.
Avancerad planarteknik
Dubbel N-kanal MOSFET låg påslagningsresistans
Logic Level Gate-drivkrets
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 150 V, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 171 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 78 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 43 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET