DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2833
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 51%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
70,55 kr
(exkl. moms)
88,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,411 kr | 70,55 kr | - |
| 100 - 200 | 0,683 kr | 34,15 kr | 51% |
| 250 - 450 | 0,67 kr | 33,50 kr | 52% |
| 500 - 950 | 0,632 kr | 31,60 kr | 55% |
| 1000 + | 0,618 kr | 30,90 kr | 56% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2833
- Tillv. art.nr:
- DMN2710UW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 900mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.6W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 900mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.6W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.35mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, X1-DFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101