DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 122-3318
- Tillv. art.nr:
- DMN3032LE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
5 242,50 kr
(exkl. moms)
6 552,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,097 kr | 5 242,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 122-3318
- Tillv. art.nr:
- DMN3032LE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.55mm | |
| Bredd | 3.55mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.55mm | ||
Bredd 3.55mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 3.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101