DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-2831
Tillv. art.nr:
DMN2310UWQ-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-323

Serie

DMN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.45W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.2mm

Höjd

1.1mm

Bredd

1.35mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.

Lågt motstånd vid tändning

Låg ingångskapacitans

Snabb växlingshastighet

Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.