onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL125N
- RS-artikelnummer:
- 221-6718
- Tillv. art.nr:
- NTHL125N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
55,48 kr
(exkl. moms)
69,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 394 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 27,74 kr | 55,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6718
- Tillv. art.nr:
- NTHL125N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTHL125N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 171W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Pb-Free | |
| Höjd | 41.34mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTHL125N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 171W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Pb-Free | ||
Höjd 41.34mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET har en högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Ultralåg grindladdning
låg effektiv utgångskapacitans 379 pF
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL125N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL