onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

160,38 kr

(exkl. moms)

200,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1880,19 kr160,38 kr
20 +69,105 kr138,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

Var (i ett rör med 30)

1 473,57 kr

(exkl. moms)

1 841,96 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
178-4649
Tillv. art.nr:
FCH125N65S3R0-F155
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

FCH

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

181W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.87mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.82mm

Höjd

20.82mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen hjälper SUPERFET III MOSFET Easy drive-serien till att hantera EMI-problem och möjliggör enklare designimplementering.

700 V vid TJ = 150 oC

Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 439 pF)

Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 46 nC)

Optimerad kapacitans

Typiskt RDS(on) = 105 mΩ

Intern grindresistans: 0,5 Ω

Fördelar:

Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift

Låg omkopplingsförlust

Låg omkopplingsförlust

Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation

Användningsområden:

Dator

Konsument

Industri

Slutprodukter:

Bärbar dator / stationär dator / spelkonsol

Telekom/server

UPS/solenergi

LED-belysning/ballast

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.