onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-artikelnummer:
- 214-8896
- Tillv. art.nr:
- NTHL082N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
525,39 kr
(exkl. moms)
656,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 105,078 kr | 525,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8896
- Tillv. art.nr:
- NTHL082N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 313W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 313W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Bredd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET är en helt ny MOSFET-familj med högspänning och superkoppling som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Blyfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL